亜鉛メッキ,ニッケル,クロム,金属,加工,記号,方法等-JIS用語

 

物理蒸着/真空蒸着/イオンプレーティング



電気めっき及び関連処理用語において、”f) 関連表面処理”に分類されている用語のうち、『物理蒸着』、『真空蒸着』、『イオンプレーティング』のJIS規格における定義その他について。

亜鉛メッキ、ニッケルメッキ、クロムメッキ、クロメート処理等、金属材料のメッキ加工(めっき加工)などに関する主な用語として、電気めっき及び関連処理用語(JIS H 0400)において、”f) 関連表面処理”に分類されている電気メッキ関連処理用語には、以下の、『物理蒸着』、『真空蒸着』、『イオンプレーティング』などの用語が定義されています。

電気めっき及び関連処理用語(JIS H 0400)
⇒【 f) 関連表面処理 】


分類: 電気めっき及び関連処理用語 > f) 関連表面処理

番号: 6028

用語: 物理蒸着

定義:
高温加熱、スパッタリング
(※1)などの物理的方法で物質を蒸発し、基板に凝縮させ、薄膜(※2)を形成する方法。
略称:PVD。
参考:
真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの総称。

対応英語(参考):
physical vapor deposition


分類: 電気めっき及び関連処理用語 > f) 関連表面処理

番号: 6029

用語: 真空蒸着

定義:
真空中で物質を加熱蒸発し、基板上に薄膜を形成する成膜法。

対応英語(参考):
vacuum evaporation


分類: 電気めっき及び関連処理用語 > f) 関連表面処理

番号: 6030

用語: イオンプレーティング

定義:
電界を印加して発生したプラズマを利用し、蒸発原子をイオン化又は励起させ、基板上に薄膜を形成する成膜法。

対応英語(参考):
ion plating


(※1)
スパッタリングとは、加速された粒子が固体表面に衝突したとき、運動量の交換によって固体を構成する原子が空間へ放出される現象、及びこの現象を用いた成膜法のことです。

(※2)
薄膜とは、およそ数μmまでの厚さの膜のことです。対比として、厚膜は、およそ数μm以上の厚さの膜のことをいいます。